Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход

  • У дома
  •  
  • Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход
MOC212R2M
ON Semiconductor

MOC212R2M

Част запас: 161187

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 7.5µs, 5.7µs, Време на нарастване / падане (тип): 3.2µs, 4.7µs,

Списък с желания
H11G1SR2M
ON Semiconductor

H11G1SR2M

Част запас: 197619

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 1000% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs,

Списък с желания
MCT9001S
ON Semiconductor

MCT9001S

Част запас: 66608

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2.4µs, 2.4µs,

Списък с желания
H11D3M
ON Semiconductor

H11D3M

Част запас: 73280

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

Списък с желания
FOD2711A
ON Semiconductor

FOD2711A

Част запас: 178772

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA,

Списък с желания
FOD2741BV
ON Semiconductor

FOD2741BV

Част запас: 121941

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA,

Списък с желания
MOCD207VM
ON Semiconductor

MOCD207VM

Част запас: 174148

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 7.5µs, 5.7µs, Време на нарастване / падане (тип): 3.2µs, 4.7µs,

Списък с желания
H11A1SM
ON Semiconductor

H11A1SM

Част запас: 116280

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

Списък с желания
FODM453
ON Semiconductor

FODM453

Част запас: 30717

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 16mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 50% @ 16mA, Време за включване / изключване (тип): 400ns, 350ns,

Списък с желания
CNY172TVM
ON Semiconductor

CNY172TVM

Част запас: 116245

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 63% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 125% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
CNY172VM
ON Semiconductor

CNY172VM

Част запас: 103182

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 63% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 125% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
H11A1VM
ON Semiconductor

H11A1VM

Част запас: 101749

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

Списък с желания
H11AA1SVM
ON Semiconductor

H11AA1SVM

Част запас: 150290

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA,

Списък с желания
H11AA4SVM
ON Semiconductor

H11AA4SVM

Част запас: 143761

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA,

Списък с желания
FOD617C
ON Semiconductor

FOD617C

Част запас: 146499

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3µs,

Списък с желания
H11AG1M
ON Semiconductor

H11AG1M

Част запас: 53878

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

Списък с желания
CNY174M
ON Semiconductor

CNY174M

Част запас: 120060

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 160% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 320% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
HMHAA280
ON Semiconductor

HMHAA280

Част запас: 95112

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
CNY17F1M
ON Semiconductor

CNY17F1M

Част запас: 109377

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 40% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 80% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
FOD2742B
ON Semiconductor

FOD2742B

Част запас: 63747

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA,

Списък с желания
FOD2711AS
ON Semiconductor

FOD2711AS

Част запас: 59561

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA,

Списък с желания
H11D3SM
ON Semiconductor

H11D3SM

Част запас: 72513

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

Списък с желания
HCPL3700
ON Semiconductor

HCPL3700

Част запас: 19322

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Време за включване / изключване (тип): 6µs, 25µs, Време на нарастване / падане (тип): 45µs, 0.5µs,

Списък с желания
CNY17F2SM
ON Semiconductor

CNY17F2SM

Част запас: 107783

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 63% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 125% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
FODM453R2
ON Semiconductor

FODM453R2

Част запас: 80031

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 16mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 50% @ 16mA, Време за включване / изключване (тип): 400ns, 350ns,

Списък с желания
FOD2741AS
ON Semiconductor

FOD2741AS

Част запас: 125212

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA,

Списък с желания
FODM121B
ON Semiconductor

FODM121B

Част запас: 111035

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 150% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
HMHA2801R2V
ON Semiconductor

HMHA2801R2V

Част запас: 168410

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 80% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
FOD2743BSDV
ON Semiconductor

FOD2743BSDV

Част запас: 92413

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 1mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 100% @ 1mA,

Списък с желания
CNY17F1SM
ON Semiconductor

CNY17F1SM

Част запас: 107723

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 40% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 80% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
FOD817B3S
ON Semiconductor

FOD817B3S

Част запас: 128550

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 130% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 260% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3µs,

Списък с желания
FOD2743BTV
ON Semiconductor

FOD2743BTV

Част запас: 105672

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 1mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 100% @ 1mA,

Списък с желания
H11F3SM
ON Semiconductor

H11F3SM

Част запас: 21822

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Време за включване / изключване (тип): 45µs, 45µs (Max),

Списък с желания
MOCD223VM
ON Semiconductor

MOCD223VM

Част запас: 143436

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 10µs, 125µs, Време на нарастване / падане (тип): 8µs, 110µs,

Списък с желания
MCT61SD
ON Semiconductor

MCT61SD

Част запас: 149442

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 2.4µs, 2.4µs,

Списък с желания
FOD819SD
ON Semiconductor

FOD819SD

Част запас: 4377

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 1.5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 1.5mA, Време за включване / изключване (тип): 18µs, 18µs, Време на нарастване / падане (тип): 12µs, 20µs,

Списък с желания