Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични
PN2222ARLRP
ON Semiconductor

PN2222ARLRP

Част запас: 6440

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MPSW51ARLRPG
ON Semiconductor

MPSW51ARLRPG

Част запас: 6414

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
FJA4210RTU
ON Semiconductor

FJA4210RTU

Част запас: 6085

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 140V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V,

Списък с желания
MPS8099RLRAG
ON Semiconductor

MPS8099RLRAG

Част запас: 6097

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
MPSH24_D26Z
ON Semiconductor

MPSH24_D26Z

Част запас: 6563

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V,

Списък с желания
TIP132G
ON Semiconductor

TIP132G

Част запас: 6451

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 30mA, 6A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Списък с желания
MPS5172RLRM
ON Semiconductor

MPS5172RLRM

Част запас: 6418

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

Списък с желания
NSVBSS63LT1G
ON Semiconductor

NSVBSS63LT1G

Част запас: 118707

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V,

Списък с желания
MPSA64RLRA
ON Semiconductor

MPSA64RLRA

Част запас: 6389

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
MPS6531_D27Z
ON Semiconductor

MPS6531_D27Z

Част запас: 6521

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
MJD6039T4G
ON Semiconductor

MJD6039T4G

Част запас: 184114

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V,

Списък с желания
MJD128T4
ON Semiconductor

MJD128T4

Част запас: 6356

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Списък с желания
MJD2955
ON Semiconductor

MJD2955

Част запас: 6390

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Списък с желания
MJD6039T4
ON Semiconductor

MJD6039T4

Част запас: 6384

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V,

Списък с желания
MPS2907AZL1G
ON Semiconductor

MPS2907AZL1G

Част запас: 6363

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MJD253-001
ON Semiconductor

MJD253-001

Част запас: 6401

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Списък с желания
MPSA92_D81Z
ON Semiconductor

MPSA92_D81Z

Част запас: 6531

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 250nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Списък с желания
NJVNJD2873T4G-VF01
ON Semiconductor

NJVNJD2873T4G-VF01

Част запас: 106148

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
MPSW55
ON Semiconductor

MPSW55

Част запас: 6725

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V,

Списък с желания
MJD32CTF_NBDD002
ON Semiconductor

MJD32CTF_NBDD002

Част запас: 6456

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Списък с желания
MPS8099G
ON Semiconductor

MPS8099G

Част запас: 6367

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
KSA3010RTU
ON Semiconductor

KSA3010RTU

Част запас: 6158

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V,

Списък с желания
FJPF13009TU
ON Semiconductor

FJPF13009TU

Част запас: 6155

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V,

Списък с желания
MJF45H11
ON Semiconductor

MJF45H11

Част запас: 6405

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Списък с желания
CPH6153-TL-E
ON Semiconductor

CPH6153-TL-E

Част запас: 114760

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 195mV @ 75mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Списък с желания
MJB45H11
ON Semiconductor

MJB45H11

Част запас: 6389

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Списък с желания
MPS2222RLRMG
ON Semiconductor

MPS2222RLRMG

Част запас: 6354

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MPSA77RLRA
ON Semiconductor

MPSA77RLRA

Част запас: 6440

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
MJD42CRL
ON Semiconductor

MJD42CRL

Част запас: 6406

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Списък с желания
FJAF6806DTU
ON Semiconductor

FJAF6806DTU

Част запас: 6141

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 750V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 1A, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 4 @ 4A, 5V,

Списък с желания
KSH112TM
ON Semiconductor

KSH112TM

Част запас: 166495

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

Списък с желания
TIP141T
ON Semiconductor

TIP141T

Част запас: 6098

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 2mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Списък с желания
MPSA56G
ON Semiconductor

MPSA56G

Част запас: 6375

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
MPSW51ARLRP
ON Semiconductor

MPSW51ARLRP

Част запас: 6401

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
PN2907ARLRAG
ON Semiconductor

PN2907ARLRAG

Част запас: 6129

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MPSA12_D75Z
ON Semiconductor

MPSA12_D75Z

Част запас: 6662

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

Списък с желания