Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични
FJX992TF
ON Semiconductor

FJX992TF

Част запас: 123840

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Списък с желания
FJPF5021O
ON Semiconductor

FJPF5021O

Част запас: 6070

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 500V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V,

Списък с желания
MJD253T4G
ON Semiconductor

MJD253T4G

Част запас: 143073

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Списък с желания
NJW3281G
ON Semiconductor

NJW3281G

Част запас: 27850

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Списък с желания
NSVMMBT3906TT1G
ON Semiconductor

NSVMMBT3906TT1G

Част запас: 174975

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
FJAF4210YTU
ON Semiconductor

FJAF4210YTU

Част запас: 35767

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 140V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 4V,

Списък с желания
KSH127TM
ON Semiconductor

KSH127TM

Част запас: 158308

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Списък с желания
MJD5731T4
ON Semiconductor

MJD5731T4

Част запас: 6330

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 350V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Списък с желания
FJP5027O
ON Semiconductor

FJP5027O

Част запас: 6107

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 800V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V,

Списък с желания
MPSA56RLRPG
ON Semiconductor

MPSA56RLRPG

Част запас: 6446

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
MCH6102-TL-E
ON Semiconductor

MCH6102-TL-E

Част запас: 167629

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Списък с желания
NJL21194DG
ON Semiconductor

NJL21194DG

Част запас: 6396

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Списък с желания
PZT2907AT3
ON Semiconductor

PZT2907AT3

Част запас: 6484

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
FSB6714
ON Semiconductor

FSB6714

Част запас: 6475

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

Списък с желания
MPS2369A
ON Semiconductor

MPS2369A

Част запас: 6432

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 400nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
MPSA93_D27Z
ON Semiconductor

MPSA93_D27Z

Част запас: 6501

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 200V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 250nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

Списък с желания
PN100A_D26Z
ON Semiconductor

PN100A_D26Z

Част запас: 6708

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
MPSA64RLRMG
ON Semiconductor

MPSA64RLRMG

Част запас: 6456

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
MPSA06RL1
ON Semiconductor

MPSA06RL1

Част запас: 6441

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
MPSA42RLRFG
ON Semiconductor

MPSA42RLRFG

Част запас: 6370

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

Списък с желания
MJE18004D2G
ON Semiconductor

MJE18004D2G

Част запас: 6380

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 450V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V,

Списък с желания
P2N2222AZL1G
ON Semiconductor

P2N2222AZL1G

Част запас: 6415

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
KSH44H11TM
ON Semiconductor

KSH44H11TM

Част запас: 182291

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Списък с желания
MJD31CTF_NBDD001
ON Semiconductor

MJD31CTF_NBDD001

Част запас: 6516

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Списък с желания
MJD44H11T5G
ON Semiconductor

MJD44H11T5G

Част запас: 129504

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Списък с желания
NJVMJD112T4G
ON Semiconductor

NJVMJD112T4G

Част запас: 138776

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

Списък с желания
KSC2335OTU
ON Semiconductor

KSC2335OTU

Част запас: 6107

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V,

Списък с желания
KSB707RTU
ON Semiconductor

KSB707RTU

Част запас: 6068

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V,

Списък с желания
MPSA06_D75Z
ON Semiconductor

MPSA06_D75Z

Част запас: 6529

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
PN2222AG
ON Semiconductor

PN2222AG

Част запас: 6433

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MMBT6427LT3G
ON Semiconductor

MMBT6427LT3G

Част запас: 6412

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
P2N2907ARL1G
ON Semiconductor

P2N2907ARL1G

Част запас: 6406

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
NSS35200MR6T1G
ON Semiconductor

NSS35200MR6T1G

Част запас: 107557

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V,

Списък с желания
KSC5504DTM
ON Semiconductor

KSC5504DTM

Част запас: 6172

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 4 @ 2A, 1V,

Списък с желания
MMBT3904_D87Z
ON Semiconductor

MMBT3904_D87Z

Част запас: 5761

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
MPS8099RLRPG
ON Semiconductor

MPS8099RLRPG

Част запас: 6431

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания