Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични
CPH6223-TL-E
ON Semiconductor

CPH6223-TL-E

Част запас: 139412

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Списък с желания
MPSA42RL1
ON Semiconductor

MPSA42RL1

Част запас: 6374

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

Списък с желания
MPS2907ARL1G
ON Semiconductor

MPS2907ARL1G

Част запас: 6414

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
D44C12G
ON Semiconductor

D44C12G

Част запас: 6669

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Списък с желания
CPH3107-TL-E
ON Semiconductor

CPH3107-TL-E

Част запас: 180436

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 150mV @ 60mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
MPS2222RLRAG
ON Semiconductor

MPS2222RLRAG

Част запас: 6657

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MJD210
ON Semiconductor

MJD210

Част запас: 6723

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

Списък с желания
MPS8099RLRMG
ON Semiconductor

MPS8099RLRMG

Част запас: 6448

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
MPS6726
ON Semiconductor

MPS6726

Част запас: 6452

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

Списък с желания
PN200A_D74Z
ON Semiconductor

PN200A_D74Z

Част запас: 6592

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
KSE5742
ON Semiconductor

KSE5742

Част запас: 6170

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V,

Списък с желания
FJAF6910TU
ON Semiconductor

FJAF6910TU

Част запас: 6179

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 800V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 7 @ 6A, 5V,

Списък с желания
FJP5027RHTU
ON Semiconductor

FJP5027RHTU

Част запас: 6099

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 800V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V,

Списък с желания
NSVBC817-40WT1G
ON Semiconductor

NSVBC817-40WT1G

Част запас: 181291

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
ECH8102-TL-H
ON Semiconductor

ECH8102-TL-H

Част запас: 119231

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 135mV @ 300mA, 6A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
MPS6514_D27Z
ON Semiconductor

MPS6514_D27Z

Част запас: 6482

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 10V,

Списък с желания
MPSA63_D27Z
ON Semiconductor

MPSA63_D27Z

Част запас: 6520

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
MPSA56_D27Z
ON Semiconductor

MPSA56_D27Z

Част запас: 6574

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
CPH3101-TL-E
ON Semiconductor

CPH3101-TL-E

Част запас: 119808

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Списък с желания
MPSA18RLRP
ON Semiconductor

MPSA18RLRP

Част запас: 6435

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
MJD31T4G
ON Semiconductor

MJD31T4G

Част запас: 195501

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Списък с желания
MPS2907ARLRM
ON Semiconductor

MPS2907ARLRM

Част запас: 6403

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
NSCT2907ALT1G
ON Semiconductor

NSCT2907ALT1G

Част запас: 6397

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MMBTA42LT3
ON Semiconductor

MMBTA42LT3

Част запас: 6413

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Списък с желания
MPS751G
ON Semiconductor

MPS751G

Част запас: 6437

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

Списък с желания
MPS750RLRAG
ON Semiconductor

MPS750RLRAG

Част запас: 6444

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

Списък с желания
MJW0281AG
ON Semiconductor

MJW0281AG

Част запас: 6356

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 260V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Списък с желания
MPS2907ARL1
ON Semiconductor

MPS2907ARL1

Част запас: 6432

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MPS2222ARLRP
ON Semiconductor

MPS2222ARLRP

Част запас: 6419

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MPSW42G
ON Semiconductor

MPSW42G

Част запас: 6407

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Списък с желания
MPSA42_D75Z
ON Semiconductor

MPSA42_D75Z

Част запас: 6464

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Списък с желания
NSS40200UW6T1G
ON Semiconductor

NSS40200UW6T1G

Част запас: 180029

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V,

Списък с желания
MPS2222RLRPG
ON Semiconductor

MPS2222RLRPG

Част запас: 6373

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
NSS30100LT1G
ON Semiconductor

NSS30100LT1G

Част запас: 111187

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
FJP3835TU
ON Semiconductor

FJP3835TU

Част запас: 6115

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 3A, 4V,

Списък с желания
FJPF1943OTU
ON Semiconductor

FJPF1943OTU

Част запас: 6476

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 230V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Списък с желания