Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични
MPS6652RLRPG
ON Semiconductor

MPS6652RLRPG

Част запас: 6355

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V,

Списък с желания
MPSL51_D27Z
ON Semiconductor

MPSL51_D27Z

Част запас: 6590

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Списък с желания
MPSA18RLRPG
ON Semiconductor

MPSA18RLRPG

Част запас: 6429

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
FJPF5021RTU
ON Semiconductor

FJPF5021RTU

Част запас: 6092

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 500V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V,

Списък с желания
PN200A_D26Z
ON Semiconductor

PN200A_D26Z

Част запас: 6506

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
MPS3646G
ON Semiconductor

MPS3646G

Част запас: 6354

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

Списък с желания
MPSA64RLRM
ON Semiconductor

MPSA64RLRM

Част запас: 6469

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
MPSA05_D27Z
ON Semiconductor

MPSA05_D27Z

Част запас: 6513

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
NJD2873RL
ON Semiconductor

NJD2873RL

Част запас: 6446

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
MPS6521RLRAG
ON Semiconductor

MPS6521RLRAG

Част запас: 6383

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

Списък с желания
MJF45H11G
ON Semiconductor

MJF45H11G

Част запас: 47019

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Списък с желания
KSD569YTU
ON Semiconductor

KSD569YTU

Част запас: 6071

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V,

Списък с желания
KSD5018
ON Semiconductor

KSD5018

Част запас: 6123

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 275V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA,

Списък с желания
MJE350STU
ON Semiconductor

MJE350STU

Част запас: 149488

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Списък с желания
FJPF13007H2
ON Semiconductor

FJPF13007H2

Част запас: 6141

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V,

Списък с желания
MMBT6517LT3
ON Semiconductor

MMBT6517LT3

Част запас: 6395

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 350V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Списък с желания
MPSA43_D27Z
ON Semiconductor

MPSA43_D27Z

Част запас: 6562

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 200V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 10V,

Списък с желания
MPSA14_D27Z
ON Semiconductor

MPSA14_D27Z

Част запас: 6528

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
KSC2335Y
ON Semiconductor

KSC2335Y

Част запас: 6153

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V,

Списък с желания
MPS2369ARLRPG
ON Semiconductor

MPS2369ARLRPG

Част запас: 6441

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 400nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
NSS12200WT1G
ON Semiconductor

NSS12200WT1G

Част запас: 186494

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 290mV @ 20mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 800mA, 1.5 V,

Списък с желания
MPS2369ARLRP
ON Semiconductor

MPS2369ARLRP

Част запас: 6347

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 400nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
MPSA05_D74Z
ON Semiconductor

MPSA05_D74Z

Част запас: 6465

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
NSS40501UW3T2G
ON Semiconductor

NSS40501UW3T2G

Част запас: 126714

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

Списък с желания
FJPF5027RYDTU
ON Semiconductor

FJPF5027RYDTU

Част запас: 6111

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 800V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V,

Списък с желания
MJW0302AG
ON Semiconductor

MJW0302AG

Част запас: 6429

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 260V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Списък с желания
KSE5740TU
ON Semiconductor

KSE5740TU

Част запас: 6159

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V,

Списък с желания
MPSA18G
ON Semiconductor

MPSA18G

Част запас: 6435

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
KSA1010RTU
ON Semiconductor

KSA1010RTU

Част запас: 6085

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 5V,

Списък с желания
MPSA43
ON Semiconductor

MPSA43

Част запас: 6489

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 200V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

Списък с желания
MPS2907ARLRP
ON Semiconductor

MPS2907ARLRP

Част запас: 6374

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
KSD1588RTU
ON Semiconductor

KSD1588RTU

Част запас: 6111

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V,

Списък с желания
MPSA28_D26Z
ON Semiconductor

MPSA28_D26Z

Част запас: 6396

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
MPSA63_D75Z
ON Semiconductor

MPSA63_D75Z

Част запас: 6584

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
KSC5367FTU
ON Semiconductor

KSC5367FTU

Част запас: 6115

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 800V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 12 @ 400mA, 3V,

Списък с желания
KSA614RTU
ON Semiconductor

KSA614RTU

Част запас: 6372

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V,

Списък с желания