Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични
MMBTA20LT1
ON Semiconductor

MMBTA20LT1

Част запас: 6374

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MPS751ZL1
ON Semiconductor

MPS751ZL1

Част запас: 6425

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

Списък с желания
NJVMJD41CT4G-VF01
ON Semiconductor

NJVMJD41CT4G-VF01

Част запас: 188716

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Списък с желания
NSCT2222ALT1G
ON Semiconductor

NSCT2222ALT1G

Част запас: 6461

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MPSA12_D74Z
ON Semiconductor

MPSA12_D74Z

Част запас: 6484

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
CPH3109-TL-E
ON Semiconductor

CPH3109-TL-E

Част запас: 135761

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 230mV @ 30mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
NSL12AWT1G
ON Semiconductor

NSL12AWT1G

Част запас: 159225

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 290mV @ 20mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 800mA, 1.5 V,

Списък с желания
MPSA92G
ON Semiconductor

MPSA92G

Част запас: 6460

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 250nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Списък с желания
KSE703S
ON Semiconductor

KSE703S

Част запас: 6315

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Списък с желания
MPSA42RLRAG
ON Semiconductor

MPSA42RLRAG

Част запас: 6135

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

Списък с желания
FJP3307DH2TU
ON Semiconductor

FJP3307DH2TU

Част запас: 6128

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V,

Списък с желания
MPSA70RLRMG
ON Semiconductor

MPSA70RLRMG

Част запас: 6433

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MPS6515_D75Z
ON Semiconductor

MPS6515_D75Z

Част запас: 6511

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V,

Списък с желания
MPSA14RLRPG
ON Semiconductor

MPSA14RLRPG

Част запас: 6692

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
MPSA75RLRPG
ON Semiconductor

MPSA75RLRPG

Част запас: 6415

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
S2SA1774G
ON Semiconductor

S2SA1774G

Част запас: 107765

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500pA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Списък с желания
MPSA43_D75Z
ON Semiconductor

MPSA43_D75Z

Част запас: 6470

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 200V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 10V,

Списък с желания
MPS2907ARLRPG
ON Semiconductor

MPS2907ARLRPG

Част запас: 6372

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MPSA63RLRPG
ON Semiconductor

MPSA63RLRPG

Част запас: 6414

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
FJD3076TM
ON Semiconductor

FJD3076TM

Част запас: 168977

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 3V,

Списък с желания
MJD47
ON Semiconductor

MJD47

Част запас: 6403

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 200µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Списък с желания
MSB1218A-RT1
ON Semiconductor

MSB1218A-RT1

Част запас: 6453

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

Списък с желания
NSV60201LT1G
ON Semiconductor

NSV60201LT1G

Част запас: 176524

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V,

Списък с желания
P2N2222AZL1
ON Semiconductor

P2N2222AZL1

Част запас: 6457

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
P2N2907AG
ON Semiconductor

P2N2907AG

Част запас: 6407

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MMBT6429LT1G
ON Semiconductor

MMBT6429LT1G

Част запас: 116628

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V,

Списък с желания
MSA1162YT1G
ON Semiconductor

MSA1162YT1G

Част запас: 6680

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Списък с желания
MPS6724RLRAG
ON Semiconductor

MPS6724RLRAG

Част запас: 6411

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

Списък с желания
MPSA13RLRP
ON Semiconductor

MPSA13RLRP

Част запас: 6366

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
MJL0302AG
ON Semiconductor

MJL0302AG

Част запас: 6383

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 260V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Списък с желания
NSV20201LT1G
ON Semiconductor

NSV20201LT1G

Част запас: 138582

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
MJD210RL
ON Semiconductor

MJD210RL

Част запас: 6410

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

Списък с желания
MJD350G
ON Semiconductor

MJD350G

Част запас: 6427

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Списък с желания
TIP121TU
ON Semiconductor

TIP121TU

Част запас: 195706

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V,

Списък с желания
NSS12100UW3TCG
ON Semiconductor

NSS12100UW3TCG

Част запас: 167444

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
MJ15002G
ON Semiconductor

MJ15002G

Част запас: 6328

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 140V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 250µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 4A, 2V,

Списък с желания