Транзистори - FET, MOSFET - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 21

TK10E60W,S1VX

Част запас: 23805

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.7A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 4.9A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK33S10N1Z,LQ

Част запас: 104550

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 33A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 16.5A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J35CTC,L3F

Част запас: 145639

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 250mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 150mA, 4.5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK11A60D(STA4,Q,M)

Част запас: 30899

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.5A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K2615R,LF

Част запас: 135583

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A60W,S4VX

Част запас: 36641

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.2A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 3.1A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J511NU,LF

Част запас: 145260

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 4A, 8V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TPWR8004PL,L1Q

Част запас: 40033

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 150A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK13A55DA(STA4,QM)

Част запас: 28847

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 550V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.3A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK13E25D,S1X(S

Част запас: 36030

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 6.5A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A55D(STA4,Q,M)

Част запас: 29048

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 550V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A60W,S4VX

Част запас: 31030

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK25V60X,LQ

Част запас: 8177

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 7.5A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK19A45D(STA4,Q,M)

Част запас: 22520

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 450V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 19A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 9.5A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK14A45D(STA4,Q,M)

Част запас: 27275

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 450V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 7A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK20E60W,S1VX

Част запас: 16879

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK10J80E,S1E

Част запас: 26795

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 5A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK13A45D(STA4,Q,M)

Част запас: 33491

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 450V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 6.5A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J356R,LF

Част запас: 178382

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK25E60X,S1X

Част запас: 16545

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 7.5A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31V60X,LQ

Част запас: 28818

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30.8A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 9.4A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK13A50D(STA4,Q,M)

Част запас: 27289

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6.5A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK25E60X5,S1X

Част запас: 15899

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 7.5A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J15FV,L3F

Част запас: 186662

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J133TU,LF

Част запас: 139050

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8 mOhm @ 3A, 4.5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK7J90E,S1E

Част запас: 24719

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 900V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 3.5A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK18A50D(STA4,Q,M)

Част запас: 23408

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 9A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK16G60W,RVQ

Част запас: 5861

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15.8A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.9A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK72E12N1,S1X

Част запас: 35805

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 120V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 72A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 36A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK14A45DA(STA4,QM)

Част запас: 30502

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 450V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410 mOhm @ 6.8A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK7A65D(STA4,Q,M)

Част запас: 37304

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 3.5A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A80W,S4X

Част запас: 21241

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.8A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A45D(STA4,Q,M)

Част запас: 36978

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 450V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK12E60W,S1VX

Част запас: 26976

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 5.8A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TK10A55D(STA4,Q,M)

Част запас: 35872

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 550V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 5A, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN3R704PL,L1Q

Част запас: 106820

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 40A, 10V,

Списък с желания