Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - FET, MOSFET - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - FET, MOSFET - единични
TK12A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A53D(STA4,Q,M)

Част запас: 31913

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 525V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания
TK8Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK8Q60W,S1VQ

Част запас: 36648

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V,

Списък с желания
TK3A65DA(STA4,QM)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK3A65DA(STA4,QM)

Част запас: 54078

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51 Ohm @ 1.3A, 10V,

Списък с желания
TK14G65W5,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK14G65W5,RQ

Част запас: 61791

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13.7A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.9A, 10V,

Списък с желания
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Част запас: 75895

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 40A, 10V,

Списък с желания
TPHR8504PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR8504PL,L1Q

Част запас: 64047

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 150A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
TK100S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK100S04N1L,LQ

Част запас: 59911

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
TK7A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK7A65W,S5X

Част запас: 40074

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.8A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 3.4A, 10V,

Списък с желания
TK15A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK15A50D(STA4,Q,M)

Част запас: 43168

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.5A, 10V,

Списък с желания
TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK5A55D(STA4,Q,M)

Част запас: 59442

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 550V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V,

Списък с желания
SSM3K15AFS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15AFS,LF

Част запас: 146399

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

Списък с желания
TK10V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK10V60W,LVQ

Част запас: 45593

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.7A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 4.9A, 10V,

Списък с желания
TPH2900ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2900ENH,L1Q

Част запас: 67627

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 33A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 16.5A, 10V,

Списък с желания
TK60E08K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TK60E08K3,S1X(S

Част запас: 47246

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
TK8A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A60DA(STA4,Q,M)

Част запас: 45679

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 4A, 10V,

Списък с желания
TK5A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK5A65W,S5X

Част запас: 41464

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.2A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.6A, 10V,

Списък с желания
TPCA8064-H,LQ(CM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8064-H,LQ(CM

Част запас: 77317

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
TK160F10N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK160F10N1L,LQ

Част запас: 7982

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 160A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 80A, 10V,

Списък с желания
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Част запас: 68119

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 1.3A, 10V,

Списък с желания
TK6A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A50D(STA4,Q,M)

Част запас: 60129

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

Списък с желания
TK18E10K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TK18E10K3,S1X(S

Част запас: 56261

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 9A, 10V,

Списък с желания
TK6Q65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6Q65W,S1Q

Част запас: 51965

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.8A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V,

Списък с желания
TK6A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A45DA(STA4,Q,M)

Част запас: 65709

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 450V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 2.8A, 10V,

Списък с желания
TK7A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK7A55D(STA4,Q,M)

Част запас: 51660

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 550V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3.5A, 10V,

Списък с желания
TK6Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6Q60W,S1VQ

Част запас: 45527

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.2A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820 mOhm @ 3.1A, 10V,

Списък с желания
TK9A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK9A45D(STA4,Q,M)

Част запас: 48218

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 450V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770 mOhm @ 4.5A, 10V,

Списък с желания
TK40E10K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TK40E10K3,S1X(S

Част запас: 43237

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
TPCA8055-H,LQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8055-H,LQ(M

Част запас: 60456

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 56A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 28A, 10V,

Списък с желания
TK12A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A60D(STA4,Q,M)

Част запас: 50578

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания
TK11A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK11A50D(STA4,Q,M)

Част запас: 38250

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 5.5A, 10V,

Списък с желания
TK6A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A65W,S5X

Част запас: 38216

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.8A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.9A, 10V,

Списък с желания
TK8A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A45D(STA4,Q,M)

Част запас: 51493

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 450V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 4A, 10V,

Списък с желания
TK5A65DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK5A65DA(STA4,Q,M)

Част запас: 51848

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67 Ohm @ 2.3A, 10V,

Списък с желания
SSM3J327R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J327R,LF

Част запас: 111963

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.9A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Списък с желания
SSM3K37MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K37MFV,L3F

Част запас: 146195

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 250mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Списък с желания
TK6A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A53D(STA4,Q,M)

Част запас: 55041

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 525V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

Списък с желания