Транзистори - биполярни (BJT) - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 11

2SC2655-Y(T6STL,FM

Част запас: 7032

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6ND2,AF

Част запас: 6995

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6ND3,AF

Част запас: 6996

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6ND1,AF

Част запас: 6997

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6CN,A,F

Част запас: 7026

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6CANOFM

Част запас: 6951

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(6MBH1,AF

Част запас: 6790

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(HIT,F,M)

Част запас: 7001

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(TE6,F,M)

Част запас: 7046

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O,F(J

Част запас: 7041

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND2,AF)

Част запас: 6981

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(T6TOJS,F,M

Част запас: 6736

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(FJTN,F,M)

Част запас: 6967

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y,T6KEHF(M

Част запас: 6957

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O,T6ALPF(M

Част запас: 6977

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O(T6OMI,FM

Част запас: 7010

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6USNF(M

Част запас: 7019

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6KEHF(M

Част запас: 6713

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6F(J

Част запас: 6953

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,F(J

Част запас: 7010

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6ASHF(J

Част запас: 6976

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6OMI,FM

Част запас: 7020

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6ND,AF

Част запас: 7033

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6FJT,FM

Част запас: 7003

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6FJT,AF

Част запас: 7043

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6CANOFM

Част запас: 7009

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6CN,A,F

Част запас: 6993

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(MBSH1,FM

Част запас: 7012

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(DNSO,AF)

Част запас: 7039

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(6MBH1,AF

Част запас: 7029

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O,F(J

Част запас: 6952

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6FJT,FM

Част запас: 6998

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6FJT,AF

Част запас: 6772

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6ASN,FM

Част запас: 7019

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(FA1,F,M)

Част запас: 6974

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235(T6KMAT,F,M

Част запас: 6979

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания