Транзистори - биполярни (BJT) - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 11

2SA949-Y,ONK-1F(M

Част запас: 6969

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

Част запас: 7016

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(J

Част запас: 6976

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,F(J

Част запас: 6938

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(TE6,F,M)

Част запас: 6937

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6SHRP,FM

Част запас: 6975

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6ONK1,FM

Част запас: 6952

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6JVC1,FM

Част запас: 7006

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-O(TE6,F,M)

Част запас: 6949

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(JVC1,F,M)

Част запас: 6969

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,T6WNLF(J

Част запас: 5673

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,F(J

Част запас: 6973

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,SINFQ(J

Част запас: 7026

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,Q(J

Част запас: 6986

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NIKKIQ(J

Част запас: 6951

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NSEIKIQ(J

Част запас: 6948

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(M

Част запас: 6957

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(J

Част запас: 6946

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,BOSCHQ(J

Част запас: 6957

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,KEHINQ(M

Част запас: 6765

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931(NOMARK,A,Q

Част запас: 6941

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

Част запас: 7022

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 180V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

Част запас: 6775

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 180V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

Част запас: 6939

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 180V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

Част запас: 7019

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 180V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

Част запас: 6989

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 180V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

Част запас: 6940

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 180V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,Q(J

Част запас: 7005

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,MTSAQ(J

Част запас: 6727

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(Q,M)

Част запас: 7004

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

Част запас: 6990

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(M

Част запас: 6947

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 230V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(J

Част запас: 6752

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 230V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,WNLF(J

Част запас: 6966

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 230V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

Част запас: 6942

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 230V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

Част запас: 6984

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 230V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания