Диоди - Изправители - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 6

CRG09(TE85L,Q,M)

Част запас: 193

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 700mA, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS04(TE85L,Q,M)

Част запас: 250

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 700mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 700mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08(TE12L,Q,M)

Част запас: 223

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I40A(TE85L,QM

Част запас: 162

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 490mV @ 700mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CRG07(TE85L,Q,M)

Част запас: 183

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 700mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 700mA, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05(TE12L,Q,M)

Част запас: 178

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS14(TE85L,Q,M)

Част запас: 166

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 490mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10(TE12L,Q,M)

Част запас: 130001

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16L,Q)

Част запас: 2615

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 3A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,HIT,Q)

Част запас: 2547

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.55V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CANO-O,Q

Част запас: 2587

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.55V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16R,Q)

Част запас: 2557

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.58V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16R,Q)

Част запас: 2558

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 3A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05,LMBJQ(O

Част запас: 2588

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.98V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16R,Q)

Част запас: 2552

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16R,Q)

Част запас: 2596

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.47V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,SHINA,Q)

Част запас: 2554

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.58V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16L,Q)

Част запас: 2598

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.98V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(TE16R,Q)

Част запас: 2581

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.98V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PCD,Q)

Част запас: 2562

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.58V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16R,Q)

Част запас: 2544

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.55V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CLAR,Q)

Част запас: 2597

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.55V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,SQC,Q)

Част запас: 2590

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.55V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16L,Q)

Част запас: 2608

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 5A (DC), Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16R,Q)

Част запас: 2533

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.98V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01,LFJFQ(O

Част запас: 2549

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.47V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03,LNITTOQ(O

Част запас: 2564

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.58V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,CANO-O,Q

Част запас: 2613

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.58V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16L,Q)

Част запас: 2603

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A (DC), Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,SQC,Q)

Част запас: 2602

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.58V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PSD,Q)

Част запас: 5263

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.58V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16L,NMB,Q)

Част запас: 2547

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,DNSO,Q

Част запас: 2552

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.58V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16R,Q)

Част запас: 5332

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 5A (DC), Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3IDTF

Част запас: 2062

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 400mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05A(TE12L,Q,M)

Част запас: 102694

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания