Диоди - Изправители - единични

У дома
Диоди - Изправители - единични

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS05F30(TPL3)

Част запас: 1645

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 500mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 500mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

DSR01S30SC(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

Част запас: 131336

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 620mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

CLS01(TE16L,PAS,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

Част запас: 1424

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.47V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

DSF01S30SC(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

Част запас: 1267

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

CLS01(T6LSONY,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

Част запас: 1440

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.47V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

CLH05(T6L,NKOD,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

Част запас: 1359

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 0.98V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

Част запас: 1368

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A (DC), Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

Част запас: 1091

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

DSF07S30U(TPH3,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

Част запас: 1170

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 700mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 700mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

DSF05S30U(TPH3,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

Част запас: 1121

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 500mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 500mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

U1GWJ49(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

U1GWJ49(TE12L,F)

Част запас: 852

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

CRS04(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

Част запас: 101221

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 510mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

CUS02(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS02(TE85L,Q,M)

Част запас: 779

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 470mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

CRS06(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS06(TE85L,Q,M)

Част запас: 186793

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 360mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUHS10F60,H3F

Част запас: 9971

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S40,H3F

Част запас: 186045

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

CRS11(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

Част запас: 161979

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 360mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAS16,LM

Част запас: 122216

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 215mA, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS551V30,H3F

Част запас: 168808

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 500mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 470mV @ 500mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

CUS01(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

Част запас: 784

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 390mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

Част запас: 171031

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 400mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

Част запас: 142010

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 140mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 1.5ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09(TE12L)

Част запас: 262

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

Част запас: 173

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 510mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

Част запас: 183

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 400mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

Част запас: 211

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 370mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

Част запас: 213

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

Част запас: 196

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 460mV @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

Част запас: 264

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 360mV @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L)

Част запас: 5028

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 980mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

Част запас: 200

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 360mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

Част запас: 264

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 360mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

Част запас: 178

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 370mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

CMS01(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L,Q,M)

Част запас: 129014

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 370mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3QUF

Част запас: 124325

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 400mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

Част запас: 143420

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

207

«
1
2
3
4
5
6
»