Диоди - Изправители - единични

У дома
Диоди - Изправители - единични

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S30,H3F

Част запас: 141424

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 500mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 340mV @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S30,H3F

Част запас: 175222

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 230mV @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02SL,L3F

Част запас: 21594

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 10V, Ток - средно коригиран (Io): 10mA (DC), Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS520,L3F

Част запас: 122854

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S40,L3F

Част запас: 159042

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S40,H3F

Част запас: 172576

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 400mV @ 500mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

CMF05(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMF05(TE12L,Q,M)

Част запас: 158502

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 500mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.7V @ 500mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05S30,L3F

Част запас: 114342

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 500mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 340mV @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CES388,L3F

Част запас: 155708

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

CMS11(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L,Q,M)

Част запас: 159752

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S40,H3F

Част запас: 139868

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 500mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 350mV @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

Част запас: 11358

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 6A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 6A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

Списък с желания

CMS03(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L,Q,M)

Част запас: 144392

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

CMS06(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS06(TE12L,Q,M)

Част запас: 184133

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 370mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

CRS09(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L,Q,M)

Част запас: 139204

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 460mV @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

CRH01(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L,Q,M)

Част запас: 121678

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 980mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

CRS08(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L,Q,M)

Част запас: 183971

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 360mV @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

CRS01(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L,Q,M)

Част запас: 104302

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 360mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

CMS04(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L,Q,M)

Част запас: 164330

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 370mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

CMS05(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS05(TE12L,Q,M)

Част запас: 112076

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS08F30,H3F

Част запас: 193256

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 800mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 220mV @ 10mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10F40,L3F

Част запас: 8420

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F40,H3F

Част запас: 4875

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 670mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS520,H3F

Част запас: 181235

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 280mV @ 10mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F40,H3F

Част запас: 4923

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 500mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 810mV @ 500mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F30,H3F

Част запас: 151245

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 500mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 500mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05F40,L3F

Част запас: 8357

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 500mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 810mV @ 500mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

207

«
1
2
3
4
5
6
»